Name: onsemi FDMB506P
Brand: onsemi
SKU: FDMB506P
Availability: InStock
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onsemi FDMB506P

Artikelnummer:

FDMB506P

Hersteller / Marke:

AMI Semiconductor/onsemi

Teil der Beschreibung.:

MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP

Datenblätte:

1.FDMB506P.pdf ···: 2D -Zeichnungen
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Lead free / RoHs compliant

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DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~onsemi FDMB506P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDMB506P.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Serie	PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 6.8A, 4.5V
Verlustleistung (max)	1.9W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerWDFN
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2960 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30 nC @ 4.5 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6.8A (Ta)
Grundproduktnummer	FDMB50
FDMB506P Einzelheiten PDF [English]	FDMB506P PDF - EN.pdf

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Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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